Das Fraunhofer IAF hat einen monolithischen bidirektionalen Schalter mit einer Sperrspannung von 1200 V mithilfe seiner GaN-on-Insulator-Technologie entwickelt. Der Schalter enthält zwei Freilauf-Dioden und kann in bidirektionalen Ladegeräten und Antriebsträngen elektrischer Fahrzeuge sowie in Systemen zur Erzeugung und Speicherung erneuerbarer Energien Leistungs- und Effizienzvorteile erzielen. Präsentiert werden die Ergebnisse zusammen mit weiteren Entwicklungen in der Leistungselektronik vom 6. bis 8. Mai 2025 auf der PCIM Europe in Nürnberg. Technologische Innovationen in der Leistungselektronik sind nicht nur eine wesentliche Voraussetzung für das Gelingen der Energiewende, sie unterstützen auch nachhaltig die wirtschaftliche Entwicklung in Europa. Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF entwickelt leistungselektronische Bauelemente auf Basis des Wide-Bandgap-Verbindungshalbleiters Galliumnitrid (GaN), um Weiterentwicklungen in der elektrischen Mobilität, der Energiewirtschaft und Klimatechnik zu ermöglichen. (....)